MJD45H11T4G

MJD45H11T4G

در 2 فروشگاه قیمت هنوز مشخص نشده است

مشخصات فنی:
Manufacturer onsemi
Package TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datasheet MJD44H11, MJD45H11
Description Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 8A 90MHz 1.75W Surface Mount DPAK

فروشنده های MJD45H11T4G

قیمت
MJD45H11T4G ناموجود بدون قیمت قیمت محصولات این فروشگاه بروز نشده است! خرید اینترنتی

آخرین تغییر قیمت فروشگاه:

MJD45H11T4G ناموجود بدون قیمت خرید اینترنتی

آخرین تغییر قیمت فروشگاه:

تغییرات قیمت

مشخصات MJD45H11T4G

  • RoHS true
  • Category Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet onsemi MJD45H11T4G
  • Transistor Type PNP
  • Operating Temperature -55°C~+150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic) 8A
  • Power Dissipation (Pd) 1.75W
  • Transition Frequency (fT) 90MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 40@4A,1V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo) 1uA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 80V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 1V@8A,400mA
  • Package TO-252
  • Manufacturer onsemi
  • Series -
  • Packaging Cut Tape (CT)
  • Part Status Active
  • Current - Collector (Ic) (Max) 8A
  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 400mA, 8A
  • Current - Collector Cutoff (Max) 1µA
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 4A, 1V
  • Power - Max 1.75W
  • Frequency - Transition 90MHz
  • Mounting Type Surface Mount
  • Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Supplier Device Package DPAK
  • Base Part Number MJD45
  • detail Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 8A 90MHz 1.75W Surface Mount DPAK

فروشنده های MJD45H11T4G

قیمت
MJD45H11T4G ناموجود بدون قیمت قیمت محصولات این فروشگاه بروز نشده است! خرید اینترنتی

آخرین تغییر قیمت فروشگاه:

MJD45H11T4G ناموجود بدون قیمت خرید اینترنتی

آخرین تغییر قیمت فروشگاه: