MJD45H11T4G
در 3 فروشگاه قیمت هنوز مشخص نشده است
| Manufacturer | onsemi |
| Package | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Datasheet | MJD44H11, MJD45H11 |
| Description | Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 8A 90MHz 1.75W Surface Mount DPAK |
فروشنده های MJD45H11T4G
| قیمت | |||
| MJD45H11T4G | ناموجود بدون قیمت |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
|
| MJD45H11T4G | ناموجود بدون قیمت قیمت محصولات این فروشگاه بروز نشده است! |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
|
| MJD45H11T4G | ناموجود بدون قیمت |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
تغییرات قیمت
مشخصات MJD45H11T4G
- RoHS true
- Category Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
- Datasheet onsemi MJD45H11T4G
- Transistor Type PNP
- Operating Temperature -55°C~+150°C@(Tj)
- Collector Current (Ic) 8A
- Power Dissipation (Pd) 1.75W
- Transition Frequency (fT) 90MHz
- DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 40@4A,1V
- Collector Cut-Off Current (Icbo) 1uA
- Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 80V
- Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 1V@8A,400mA
- Package TO-252
- Manufacturer onsemi
- Series -
- Packaging Cut Tape (CT)
- Part Status Active
- Current - Collector (Ic) (Max) 8A
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 400mA, 8A
- Current - Collector Cutoff (Max) 1µA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 4A, 1V
- Power - Max 1.75W
- Frequency - Transition 90MHz
- Mounting Type Surface Mount
- Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Supplier Device Package DPAK
- Base Part Number MJD45
- detail Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 8A 90MHz 1.75W Surface Mount DPAK
فروشنده های MJD45H11T4G
| قیمت | |||
| MJD45H11T4G | ناموجود بدون قیمت |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
|
| MJD45H11T4G | ناموجود بدون قیمت قیمت محصولات این فروشگاه بروز نشده است! |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
|
| MJD45H11T4G | ناموجود بدون قیمت |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|