FQD1N80TM
در 2 فروشگاه قیمت هنوز مشخص نشده است
| Manufacturer | onsemi |
| Package | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Datasheet | FQD1N80, FQU1N80 |
| Description | N-Channel 800V 1A (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount D-Pak |
فروشنده های FQD1N80TM
| قیمت | |||
| FQD1N80TM | ناموجود بدون قیمت قیمت محصولات این فروشگاه بروز نشده است! |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
|
| FQD1N80TM | ناموجود بدون قیمت |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
تغییرات قیمت
مشخصات FQD1N80TM
- RoHS true
- Type N Channel
- Category Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet onsemi FQD1N80TM
- Operating Temperature -55°C~+150°C@(Tj)
- Power Dissipation (Pd) 2.5W;45W
- Total Gate Charge (Qg@Vgs) 7.2nC@10V
- Drain Source Voltage (Vdss) 800V
- Input Capacitance (Ciss@Vds) 195pF@25V
- Continuous Drain Current (Id) 1A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 5V@250uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 20Ω@10V,500mA
- Package TO-252
- Manufacturer onsemi
- Series QFET®
- Packaging Cut Tape (CT)
- Part Status Active
- FET Type N-Channel
- Technology MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 20Ohm @ 500mA, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.2nC @ 10V
- Vgs (Max) ±30V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 195pF @ 25V
- FET Feature -
- Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 45W (Tc)
- Mounting Type Surface Mount
- Supplier Device Package D-Pak
- Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Base Part Number FQD1
- detail N-Channel 800V 1A (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount D-Pak
فروشنده های FQD1N80TM
| قیمت | |||
| FQD1N80TM | ناموجود بدون قیمت قیمت محصولات این فروشگاه بروز نشده است! |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
|
| FQD1N80TM | ناموجود بدون قیمت |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
