FQP8N60C
در 3 فروشگاه قیمت هنوز مشخص نشده است
| Manufacturer | onsemi |
| Package | TO-220-3 |
| Datasheet | FQP8N60C |
| Description | N-Channel 600V 7.5A (Tc) 147W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
فروشنده های FQP8N60C
| قیمت | |||
| FQP8N60C | ناموجود بدون قیمت قیمت محصولات این فروشگاه بروز نشده است! |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
|
| FQP8N60C | ناموجود بدون قیمت |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
|
| FQP8N60C | ناموجود بدون قیمت |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
تغییرات قیمت
مشخصات FQP8N60C
- RoHS true
- Type N Channel
- Category Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet onsemi FQP8N60C
- Operating Temperature -55°C~+150°C@(Tj)
- Power Dissipation (Pd) 147W
- Total Gate Charge (Qg@Vgs) 36nC@10V
- Drain Source Voltage (Vdss) 600V
- Input Capacitance (Ciss@Vds) 1255pF@25V
- Continuous Drain Current (Id) 7.5A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 4V@250uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 1.2Ω@10V,3.75A
- Package TO-220
- Manufacturer onsemi
- Series QFET®
- Packaging Tube
- Part Status Not For New Designs
- FET Type N-Channel
- Technology MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.5A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 3.75A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V
- Vgs (Max) ±30V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1255pF @ 25V
- FET Feature -
- Power Dissipation (Max) 147W (Tc)
- Mounting Type Through Hole
- Supplier Device Package TO-220-3
- Package / Case TO-220-3
- Base Part Number FQP8
- detail N-Channel 600V 7.5A (Tc) 147W (Tc) Through Hole TO-220-3
فروشنده های FQP8N60C
| قیمت | |||
| FQP8N60C | ناموجود بدون قیمت قیمت محصولات این فروشگاه بروز نشده است! |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
|
| FQP8N60C | ناموجود بدون قیمت |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
|
| FQP8N60C | ناموجود بدون قیمت |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|