NSV,S,MMBTH10L(4L) دیتاشیت

NSV,S,MMBTH10L(4L)

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NSV,S,MMBTH10L(4L)
حجم فایل 93.488 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 5

دانلود دیتاشیت NSV,S,MMBTH10L(4L)

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

MMBTH10LT1G 6 pages

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: onsemi NSVMMBTH10LT1G
  • Transistor Type: NPN
  • Power Dissipation (Pd): 225mW
  • Transition Frequency (fT): 650MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 60@4mA,10V
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 25V
  • Package: SOT-23-3
  • Manufacturer: onsemi
  • Series: -
  • Packaging: Cut Tape (CT)
  • Part Status: Active
  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
  • Frequency - Transition: 650MHz
  • Noise Figure (dB Typ @ f): -
  • Gain: -
  • Power - Max: 225mW
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
  • Current - Collector (Ic) (Max): -
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Supplier Device Package: SOT-23
  • Base Part Number: NSVMMBTH
  • detail: RF Transistor NPN 25V 650MHz 225mW Surface Mount SOT-23

محصولات مشابه