دیتاشیت SIHG33N60E-GE3

SIHG33N60E-GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SIHG33N60E-GE3
حجم فایل 226.616 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

دانلود دیتاشیت SIHG33N60E-GE3

SIHG33N60E-GE3 Datasheet

مشخصات

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SIHG33N60E-GE3
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 278W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 150nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 600V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 3508pF@100V
  • Continuous Drain Current (Id): 33A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 99mΩ@10V,16.5A
  • Package: TO-247AC-3
  • Manufacturer: Vishay Intertech
  • Part id: 1374205

دیتاشیت محصولات مشابه