دیتاشیت SQ2309ES-T1_GE3
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | SQ2309ES-T1_GE3 |
|---|---|
| حجم فایل | 86.708 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 10 |
دانلود دیتاشیت SQ2309ES-T1_GE3 |
SQ2309ES-T1_GE3 Datasheet |
|---|
مشخصات
- RoHS: true
- Type: P Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: Vishay Intertech SQ2309ES-T1_GE3
- Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
- Power Dissipation (Pd): 2W
- Total Gate Charge (Qg@Vgs): 8.5nC@10V
- Drain Source Voltage (Vdss): 60V
- Input Capacitance (Ciss@Vds): 265pF@25V
- Continuous Drain Current (Id): 1.7A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 336mΩ@10V,3.8A
- Package: SOT-23
- Manufacturer: Vishay Intertech
