دیتاشیت SIR802DP-T1-GE3

SIR802DP-T1-GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SIR802DP-T1-GE3
حجم فایل 92.302 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 13

دانلود دیتاشیت SIR802DP-T1-GE3

SIR802DP-T1-GE3 Datasheet

مشخصات

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SIR802DP-T1-GE3
  • Power Dissipation (Pd): 27.7W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 20V
  • Continuous Drain Current (Id): 30A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.5V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 5mΩ@10V,10A
  • Package: PowerPAK-SO-8
  • Manufacturer: Vishay Intertech