IPP086N10N3 G دیتاشیت

IPB083N10N3G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IPB083N10N3G
حجم فایل 75.442 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 12

مشاهده دیتاشیت IPB083N10N3G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IPP086N10N3 G
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 125W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 55nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 3980pF@50V
  • Continuous Drain Current (Id): 80A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.5V@75uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 8.6mΩ@73A,10V
  • Package: TO-220
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه