MJD44H11G
در 4 فروشگاه قیمت هنوز مشخص نشده است
| Manufacturer | onsemi |
| Package | TO-220-3 |
| Datasheet | D44H, D45H Datasheet |
| Description | Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 10A 50MHz 2W Through Hole TO-220AB |
فروشنده های MJD44H11G
| قیمت | |||
| MJD44H11G | بدون قیمت |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
|
| MJD44H11G | ناموجود بدون قیمت |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
|
| MJD44H11G | ناموجود بدون قیمت قیمت محصولات این فروشگاه بروز نشده است! |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
|
| MJD44H11G | ناموجود بدون قیمت |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
تغییرات قیمت
مشخصات MJD44H11G
- RoHS true
- Category Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
- Datasheet onsemi MJD44H11G
- Transistor Type NPN
- Operating Temperature -55°C~+150°C@(Tj)
- Collector Current (Ic) 8A
- Power Dissipation (Pd) 1.75W
- Transition Frequency (fT) 85MHz
- DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 40@4A,1V
- Collector Cut-Off Current (Icbo) 1uA
- Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 80V
- Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 1V@8A,400mA
- Package TO-252
- Manufacturer onsemi
- Series -
- Packaging Tube
- Part Status Active
- Current - Collector (Ic) (Max) 10A
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 400mA, 8A
- Current - Collector Cutoff (Max) 10µA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 4A, 1V
- Power - Max 2W
- Frequency - Transition 50MHz
- Mounting Type Through Hole
- Package / Case TO-220-3
- Supplier Device Package TO-220AB
- Base Part Number D44H
- detail Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 10A 50MHz 2W Through Hole TO-220AB
فروشنده های MJD44H11G
| قیمت | |||
| MJD44H11G | بدون قیمت |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
|
| MJD44H11G | ناموجود بدون قیمت |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
|
| MJD44H11G | ناموجود بدون قیمت قیمت محصولات این فروشگاه بروز نشده است! |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
|
| MJD44H11G | ناموجود بدون قیمت |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|