SI4435DY
در 3 فروشگاه قیمت هنوز مشخص نشده است
| Manufacturer | onsemi |
| Package | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Datasheet | SI4435DY |
| Description | P-Channel 30V 8.8A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC |
فروشنده های SI4435DY
| قیمت | |||
| SI4435DY | ناموجود بدون قیمت قیمت محصولات این فروشگاه بروز نشده است! |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
|
| SI4435DY | ناموجود بدون قیمت |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
|
| SI4435DY | ناموجود بدون قیمت |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
تغییرات قیمت
مشخصات SI4435DY
- RoHS true
- Type P Channel
- Category Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet onsemi SI4435DY
- Operating Temperature -55°C~+175°C@(Tj)
- Power Dissipation (Pd) 2.5W
- Total Gate Charge (Qg@Vgs) 24nC@5V
- Drain Source Voltage (Vdss) 30V
- Input Capacitance (Ciss@Vds) 1604pF@15V
- Continuous Drain Current (Id) 8.8A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 3V@250uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 20mΩ@8.8A,10V
- Package SO-8
- Manufacturer onsemi
- Series PowerTrench®
- Packaging Cut Tape (CT)
- Part Status Active
- FET Type P-Channel
- Technology MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.8A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 8.8A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 5V
- Vgs (Max) ±20V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1604pF @ 15V
- FET Feature -
- Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
- Mounting Type Surface Mount
- Supplier Device Package 8-SOIC
- Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Base Part Number SI443
- detail P-Channel 30V 8.8A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
فروشنده های SI4435DY
| قیمت | |||
| SI4435DY | ناموجود بدون قیمت قیمت محصولات این فروشگاه بروز نشده است! |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
|
| SI4435DY | ناموجود بدون قیمت |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
|
| SI4435DY | ناموجود بدون قیمت |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
