MJD112G
در 3 فروشگاه قیمت هنوز مشخص نشده است
| Manufacturer | onsemi |
| Package | --- |
| Datasheet | MJD112G |
| Description | --- |
فروشنده های MJD112G
| قیمت | |||
| MJD112G | ناموجود بدون قیمت |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
|
| MJD112G | ناموجود بدون قیمت قیمت محصولات این فروشگاه بروز نشده است! |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
|
| MJD112G | ناموجود بدون قیمت |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
تغییرات قیمت
مشخصات MJD112G
- RoHS true
- Category Triode/MOS Tube/Transistor/Darlington Transistors
- Datasheet onsemi MJD112G
- Transistor Type NPN
- Operating Temperature -65°C~+150°C@(Tj)
- Collector Current (Ic) 2A
- Power Dissipation (Pd) 1.75W
- Transition frequency (fT) 25MHz
- DC current gain (hFE@Vce,Ic) 1000@3V,2A
- Collector-emitter voltage (Vceo) 100V
- Collector cut-off current (Icbo@Vcb) 20uA
- Collector-emitter saturation voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 3V@4A,40mA
- Package TO-252
- Manufacturer onsemi
فروشنده های MJD112G
| قیمت | |||
| MJD112G | ناموجود بدون قیمت |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
|
| MJD112G | ناموجود بدون قیمت قیمت محصولات این فروشگاه بروز نشده است! |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
|
| MJD112G | ناموجود بدون قیمت |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|