2SA2012-TD-E

2SA2012-TD-E

در 0 فروشگاه قیمت هنوز مشخص نشده است

این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!

مشخصات فنی:
Manufacturer onsemi
Package TO-243AA
Datasheet 2SA2012/2SC5565
Description Bipolar (BJT) Transistor PNP 30V 5A 420MHz 3.5W Surface Mount PCP

فروشنده های 2SA2012-TD-E

فروشگاهی یافت نشد

مشخصات 2SA2012-TD-E

  • RoHS true
  • Category Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet onsemi 2SA2012-TD-E
  • Transistor Type PNP
  • Operating Temperature +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic) 5A
  • Power Dissipation (Pd) 3.5W
  • Transition Frequency (fT) 350MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 200@500mA,2V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo) 100nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 30V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 170mV@2.5A,125mA
  • Package SOT-89
  • Manufacturer onsemi
  • Series -
  • Packaging Cut Tape (CT)
  • Part Status Active
  • Current - Collector (Ic) (Max) 5A
  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 210mV @ 30mA, 1.5A
  • Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 500mA, 2V
  • Power - Max 3.5W
  • Frequency - Transition 420MHz
  • Mounting Type Surface Mount
  • Package / Case TO-243AA
  • Supplier Device Package PCP
  • Base Part Number 2SA2012
  • detail Bipolar (BJT) Transistor PNP 30V 5A 420MHz 3.5W Surface Mount PCP

فروشنده های 2SA2012-TD-E

فروشگاهی یافت نشد