STP42N65M5
در 2 فروشگاه قیمت هنوز مشخص نشده است
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Package | TO-220-3 |
| Datasheet | STx42N65M5 |
| Description | N-Channel 650V 33A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
فروشنده های STP42N65M5
| قیمت | |||
| STP42N65M5 | بدون قیمت |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
|
| STP42N65M5 | ناموجود 31000 تومان |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
تغییرات قیمت
مشخصات STP42N65M5
- RoHS true
- Type N Channel
- Category Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet STMicroelectronics STP42N65M5
- Operating Temperature -55°C~+150°C@(Tj)
- Power Dissipation (Pd) 190W
- Total Gate Charge (Qg@Vgs) 98nC@0~10V
- Drain Source Voltage (Vdss) 650V
- Input Capacitance (Ciss@Vds) 4.65nF@100V
- Continuous Drain Current (Id) 33A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 4V@250uA
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) 3.2pF@100V
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 70mΩ@10V,16.5A
- Package TO-220
- Manufacturer STMicroelectronics
- Series MDmesh™ V
- Packaging Tube
- Part Status Active
- FET Type N-Channel
- Technology MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 33A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 79mOhm @ 16.5A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100nC @ 10V
- Vgs (Max) ±25V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4650pF @ 100V
- FET Feature -
- Power Dissipation (Max) 190W (Tc)
- Mounting Type Through Hole
- Supplier Device Package TO-220-3
- Package / Case TO-220-3
- Base Part Number STP42N
- detail N-Channel 650V 33A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-220-3
فروشنده های STP42N65M5
| قیمت | |||
| STP42N65M5 | بدون قیمت |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
|
| STP42N65M5 | ناموجود 31000 تومان |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
