فروشنده های IPB029N06N3 G E8187
فروشگاهی یافت نشد
مشخصات IPB029N06N3 G E8187
- RoHS true
- Type N Channel
- Category Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet Infineon Technologies IPB029N06N3 G E8187
- Operating Temperature -55°C~+175°C@(Tj)
- Power Dissipation (Pd) 118W
- Total Gate Charge (Qg@Vgs) 124nC@0~10V
- Drain Source Voltage (Vdss) 60V
- Input Capacitance (Ciss@Vds) 10nF@30V
- Continuous Drain Current (Id) 120A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 3V@118uA
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) 73pF@30V
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 2.6mΩ@10V,100A
- Package TO-263
- Manufacturer Infineon Technologies
فروشنده های IPB029N06N3 G E8187
فروشگاهی یافت نشد