HYG120P06LR1D
در 0 فروشگاه
قیمت هنوز مشخص نشده است
این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!
| Manufacturer | HUAYI |
| Package | --- |
| Datasheet | HYG120P06LR1D |
| Description | --- |
sellers HYG120P06LR1D
فروشگاهی یافت نشد
تغییرات قیمت
مشخصات
- RoHS true
- Type P Channel
- Category Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet HUAYI HYG120P06LR1D
- Operating Temperature +175°C@(Tj)
- Power Dissipation (Pd) 75W
- Total Gate Charge (Qg@Vgs) 46.3nC@10V
- Drain Source Voltage (Vdss) 60V
- Input Capacitance (Ciss@Vds) 4.882nF@25V
- Continuous Drain Current (Id) 55A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 1.8V@250uA
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) 195pF@25V
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 12.5mΩ@10V,20A
- Package TO-252
- Manufacturer HUAYI
فروشنده ها
فروشگاهی یافت نشد