BFN 19 H6327
در 0 فروشگاه قیمت هنوز مشخص نشده است
این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Package | --- |
| Datasheet | BFN 19 H6327 |
| Description | --- |
فروشنده های BFN 19 H6327
فروشگاهی یافت نشد
مشخصات BFN 19 H6327
- RoHS true
- Category Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
- Datasheet Infineon Technologies BFN 19 H6327
- Transistor Type -
- Operating Temperature +150°C@(Tj)
- Collector Current (Ic) 200mA
- Power Dissipation (Pd) 1.5W
- Transition Frequency (fT) 100MHz
- DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 25@1mA,10V
- Collector Cut-Off Current (Icbo) 100nA
- Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 300V
- Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 500mV@20mA,2mA
- Package SOT-89-4
- Manufacturer Infineon Technologies
فروشنده های BFN 19 H6327
فروشگاهی یافت نشد