2N5551TF
در 0 فروشگاه
قیمت هنوز مشخص نشده است
این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!
| Manufacturer | onsemi |
| Package | --- |
| Datasheet | 2N5551TF |
| Description | --- |
sellers 2N5551TF
فروشگاهی یافت نشد
تغییرات قیمت
مشخصات
- RoHS true
- Category Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
- Datasheet onsemi 2N5551TF
- Transistor Type NPN
- Operating Temperature -55°C~+150°C@(Tj)
- Collector Current (Ic) 600mA
- Power Dissipation (Pd) 625mW
- Transition Frequency (fT) 100MHz
- DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 80@10mA,5V
- Collector Cut-Off Current (Icbo) 50nA
- Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 160V
- Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 200mV@50mA,5mA
- Package TO-92-3
- Manufacturer onsemi
فروشنده ها
فروشگاهی یافت نشد