MMBT4401LT1G
در 0 فروشگاه قیمت هنوز مشخص نشده است
این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!
| Manufacturer | onsemi |
| Package | --- |
| Datasheet | MMBT4401LT1G |
| Description | --- |
فروشنده های MMBT4401LT1G
فروشگاهی یافت نشد
تغییرات قیمت
مشخصات MMBT4401LT1G
- RoHS true
- Category Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
- Datasheet onsemi MMBT4401LT1G
- Transistor Type NPN
- Operating Temperature -55°C~+150°C@(Tj)
- Collector Current (Ic) 600mA
- Power Dissipation (Pd) 300mW
- Transition Frequency (fT) 250MHz
- DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 100@150mA,1V
- Collector Cut-Off Current (Icbo) -
- Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 40V
- Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 750mV@500mA,50mA
- Package SOT-23(TO-236)
- Manufacturer onsemi
فروشنده های MMBT4401LT1G
فروشگاهی یافت نشد