فروشنده های IPB80N06S2-07
فروشگاهی یافت نشد
مشخصات IPB80N06S2-07
- RoHS true
- Type N Channel
- Category Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet Infineon Technologies IPB80N06S2-07
- Operating Temperature -55°C~+175°C@(Tj)
- Power Dissipation (Pd) 250W
- Total Gate Charge (Qg@Vgs) 86nC@0~10V
- Drain Source Voltage (Vdss) 55V
- Input Capacitance (Ciss@Vds) 3.4nF@25V
- Continuous Drain Current (Id) 80A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 3V@180uA
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) 215pF@25V
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 5.3mΩ@10V,68A
- Package TO-263
- Manufacturer Infineon Technologies
فروشنده های IPB80N06S2-07
فروشگاهی یافت نشد