FDA59N30
در 4 فروشگاه از 250,000 تا 250,000 تومان
| Manufacturer | onsemi |
| Package | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Datasheet | FDA59N30 |
| Description | --- |
فروشنده های FDA59N30
| قیمت | |||
| FDA59N30 | 250000 تومان |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
|
| FDA59N30 | بدون قیمت |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
|
| FDA59N30 | بدون قیمت |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
|
| FDA59N30 | ناموجود بدون قیمت |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
تغییرات قیمت
مشخصات FDA59N30
- RoHS true
- Type N Channel
- Category Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet onsemi FDA59N30
- Operating Temperature -55°C~+150°C@(Tj)
- Power Dissipation (Pd) 500W
- Total Gate Charge (Qg@Vgs) 100nC@10V
- Drain Source Voltage (Vdss) 300V
- Input Capacitance (Ciss@Vds) 4670pF@25V
- Continuous Drain Current (Id) 59A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 5V@250uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 56mΩ@10V,29.5A
- Package TO-3P
- Manufacturer onsemi
- Series UniFET™
- Packaging Tube
- Part Status Active
- FET Type N-Channel
- Technology MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss) 300V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 59A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 56mOhm @ 29.5A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100nC @ 10V
- Vgs (Max) ±30V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4670pF @ 25V
- FET Feature -
- Power Dissipation (Max) 500W (Tc)
- Mounting Type Through Hole
- Supplier Device Package TO-3PN
- Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
- Base Part Number FDA59
فروشنده های FDA59N30
| قیمت | |||
| FDA59N30 | 250000 تومان |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
|
| FDA59N30 | بدون قیمت |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
|
| FDA59N30 | بدون قیمت |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
|
| FDA59N30 | ناموجود بدون قیمت |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
