MJD5731T4G

MJD5731T4G

MJD5731T4G

در 0 فروشگاه

قیمت هنوز مشخص نشده است

این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!

مشخصات فنی:
Manufacturer onsemi
Package TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datasheet MJD5731
Description Bipolar (BJT) Transistor PNP 350V 1A 10MHz 1.56W Surface Mount DPAK

sellers MJD5731T4G

فروشگاهی یافت نشد

انجمن تخصصی برق و الکترونیک سیسوگ

تغییرات قیمت

انجمن تخصصی برق و الکترونیک سیسوگ

مشخصات

  • RoHS true
  • Category Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet onsemi MJD5731T4G
  • Transistor Type PNP
  • Operating Temperature -55°C~+150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic) 1A
  • Power Dissipation (Pd) 1.56W
  • Transition Frequency (fT) 10MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 30@300mA,10V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo) 100uA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 350V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 1V@1A,200mA
  • Package TO-252
  • Manufacturer onsemi
  • Series -
  • Packaging Tape & Reel (TR)
  • Part Status Obsolete
  • Current - Collector (Ic) (Max) 1A
  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 350V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 200mA, 1A
  • Current - Collector Cutoff (Max) 100µA
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 300mA, 10V
  • Power - Max 1.56W
  • Frequency - Transition 10MHz
  • Mounting Type Surface Mount
  • Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Supplier Device Package DPAK
  • Base Part Number MJD57
  • detail Bipolar (BJT) Transistor PNP 350V 1A 10MHz 1.56W Surface Mount DPAK

فروشنده ها

فروشگاهی یافت نشد

محصولات مشابه

MJD5731T4G*
MJD5731T4G*
بدون قیمت
ناموجود
ناموجود
MJD5731T4G
MJD5731T4G
بدون قیمت
در فروشگاه جنرال الکترونیک
ناموجود
MJD5731T4G
MJD5731T4G
بدون قیمت
در فروشگاه زاگرس الکترونیک
ناموجود