MJD5731T4G

MJD5731T4G

در 2 فروشگاه قیمت هنوز مشخص نشده است

مشخصات فنی:
Manufacturer onsemi
Package TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datasheet MJD5731
Description Bipolar (BJT) Transistor PNP 350V 1A 10MHz 1.56W Surface Mount DPAK

فروشنده های MJD5731T4G

قیمت
MJD5731T4G ناموجود بدون قیمت قیمت محصولات این فروشگاه بروز نشده است! خرید اینترنتی

آخرین تغییر قیمت فروشگاه:

MJD5731T4G ناموجود بدون قیمت خرید اینترنتی

آخرین تغییر قیمت فروشگاه:

تغییرات قیمت

مشخصات MJD5731T4G

  • RoHS true
  • Category Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet onsemi MJD5731T4G
  • Transistor Type PNP
  • Operating Temperature -55°C~+150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic) 1A
  • Power Dissipation (Pd) 1.56W
  • Transition Frequency (fT) 10MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 30@300mA,10V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo) 100uA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 350V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 1V@1A,200mA
  • Package TO-252
  • Manufacturer onsemi
  • Series -
  • Packaging Tape & Reel (TR)
  • Part Status Obsolete
  • Current - Collector (Ic) (Max) 1A
  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 350V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 200mA, 1A
  • Current - Collector Cutoff (Max) 100µA
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 300mA, 10V
  • Power - Max 1.56W
  • Frequency - Transition 10MHz
  • Mounting Type Surface Mount
  • Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Supplier Device Package DPAK
  • Base Part Number MJD57
  • detail Bipolar (BJT) Transistor PNP 350V 1A 10MHz 1.56W Surface Mount DPAK

فروشنده های MJD5731T4G

قیمت
MJD5731T4G ناموجود بدون قیمت قیمت محصولات این فروشگاه بروز نشده است! خرید اینترنتی

آخرین تغییر قیمت فروشگاه:

MJD5731T4G ناموجود بدون قیمت خرید اینترنتی

آخرین تغییر قیمت فروشگاه: