IXFN50N80Q2
در 2 فروشگاه قیمت هنوز مشخص نشده است
| Manufacturer | IXYS |
| Package | SOT-227-4, miniBLOC |
| Datasheet | IXFN50N80Q2 |
| Description | --- |
فروشنده های IXFN50N80Q2
| قیمت | |||
| IXFN50N80Q2 | ناموجود بدون قیمت قیمت محصولات این فروشگاه بروز نشده است! |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
|
| IXFN50N80Q2 | ناموجود بدون قیمت |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
تغییرات قیمت
مشخصات IXFN50N80Q2
- RoHS true
- Type N Channel
- Category Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet Littelfuse/IXYS IXFN50N80Q2
- Operating Temperature -55°C~+150°C@(Tj)
- Power Dissipation (Pd) 1.135kW
- Total Gate Charge (Qg@Vgs) 260nC@10V
- Drain Source Voltage (Vdss) 800V
- Input Capacitance (Ciss@Vds) 13500pF@25V
- Continuous Drain Current (Id) 50A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 5.5V@8mA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 160mΩ@10V,25A
- Package SOT-227
- Manufacturer IXYS
- Series HiPerFET™
- Packaging Tube
- Part Status Not For New Designs
- FET Type N-Channel
- Technology MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 160mOhm @ 500mA, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 8mA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 260nC @ 10V
- Vgs (Max) ±30V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 13500pF @ 25V
- FET Feature -
- Power Dissipation (Max) 1135W (Tc)
- Mounting Type Chassis Mount
- Supplier Device Package SOT-227B
- Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
فروشنده های IXFN50N80Q2
| قیمت | |||
| IXFN50N80Q2 | ناموجود بدون قیمت قیمت محصولات این فروشگاه بروز نشده است! |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
|
| IXFN50N80Q2 | ناموجود بدون قیمت |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|