IXFN420N10T

IXFN420N10T

در 2 فروشگاه قیمت هنوز مشخص نشده است

مشخصات فنی:
Manufacturer IXYS
Package SOT-227-4, miniBLOC
Datasheet IXFN420N10T
Description N-Channel 100V 420A (Tc) 1070W (Tc) Chassis Mount SOT-227B

فروشنده های IXFN420N10T

قیمت
IXFN420N10T ناموجود بدون قیمت قیمت محصولات این فروشگاه بروز نشده است! خرید اینترنتی

آخرین تغییر قیمت فروشگاه:

IXFN420N10T ناموجود بدون قیمت خرید اینترنتی

آخرین تغییر قیمت فروشگاه:

تغییرات قیمت

مشخصات IXFN420N10T

  • RoHS true
  • Type N Channel
  • Category Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet Littelfuse/IXYS IXFN420N10T
  • Operating Temperature -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd) 1.07kW
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs) 670nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss) 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds) 47000pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id) 420A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 5V@8mA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 2.3mΩ@10V,60A
  • Package SOT-227
  • Manufacturer IXYS
  • Series GigaMOS™ HiPerFET™
  • Packaging Tube
  • Part Status Active
  • FET Type N-Channel
  • Technology MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 420A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3mOhm @ 60A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 8mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 670nC @ 10V
  • Vgs (Max) ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 47000pF @ 25V
  • FET Feature -
  • Power Dissipation (Max) 1070W (Tc)
  • Mounting Type Chassis Mount
  • Supplier Device Package SOT-227B
  • Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
  • detail N-Channel 100V 420A (Tc) 1070W (Tc) Chassis Mount SOT-227B

فروشنده های IXFN420N10T

قیمت
IXFN420N10T ناموجود بدون قیمت قیمت محصولات این فروشگاه بروز نشده است! خرید اینترنتی

آخرین تغییر قیمت فروشگاه:

IXFN420N10T ناموجود بدون قیمت خرید اینترنتی

آخرین تغییر قیمت فروشگاه: