IXFN420N10T
در 2 فروشگاه قیمت هنوز مشخص نشده است
| Manufacturer | IXYS |
| Package | SOT-227-4, miniBLOC |
| Datasheet | IXFN420N10T |
| Description | N-Channel 100V 420A (Tc) 1070W (Tc) Chassis Mount SOT-227B |
فروشنده های IXFN420N10T
| قیمت | |||
| IXFN420N10T | ناموجود بدون قیمت قیمت محصولات این فروشگاه بروز نشده است! |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
|
| IXFN420N10T | ناموجود بدون قیمت |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
تغییرات قیمت
مشخصات IXFN420N10T
- RoHS true
- Type N Channel
- Category Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet Littelfuse/IXYS IXFN420N10T
- Operating Temperature -55°C~+175°C@(Tj)
- Power Dissipation (Pd) 1.07kW
- Total Gate Charge (Qg@Vgs) 670nC@10V
- Drain Source Voltage (Vdss) 100V
- Input Capacitance (Ciss@Vds) 47000pF@25V
- Continuous Drain Current (Id) 420A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 5V@8mA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 2.3mΩ@10V,60A
- Package SOT-227
- Manufacturer IXYS
- Series GigaMOS™ HiPerFET™
- Packaging Tube
- Part Status Active
- FET Type N-Channel
- Technology MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 420A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3mOhm @ 60A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 8mA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 670nC @ 10V
- Vgs (Max) ±20V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 47000pF @ 25V
- FET Feature -
- Power Dissipation (Max) 1070W (Tc)
- Mounting Type Chassis Mount
- Supplier Device Package SOT-227B
- Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
- detail N-Channel 100V 420A (Tc) 1070W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
فروشنده های IXFN420N10T
| قیمت | |||
| IXFN420N10T | ناموجود بدون قیمت قیمت محصولات این فروشگاه بروز نشده است! |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
|
| IXFN420N10T | ناموجود بدون قیمت |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
