FQP33N10
در 2 فروشگاه قیمت هنوز مشخص نشده است
| Manufacturer | onsemi |
| Package | TO-220-3 |
| Datasheet | FQP33N10 |
| Description | N-Channel 100V 33A (Tc) 127W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
فروشنده های FQP33N10
| قیمت | |||
| FQP33N10 | بدون قیمت |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
|
| FQP33N10 | ناموجود بدون قیمت |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
تغییرات قیمت
مشخصات FQP33N10
- RoHS true
- Type N Channel
- Category Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet onsemi FQP33N10
- Operating Temperature -55°C~+175°C@(Tj)
- Power Dissipation (Pd) 127W
- Total Gate Charge (Qg@Vgs) 51nC@10V
- Drain Source Voltage (Vdss) 100V
- Input Capacitance (Ciss@Vds) 1500pF@25V
- Continuous Drain Current (Id) 33A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 4V@250uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 52mΩ@10V,16.5A
- Package TO-220
- Manufacturer onsemi
- Series QFET®
- Packaging Tube
- Part Status Active
- FET Type N-Channel
- Technology MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 33A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 52mOhm @ 16.5A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 51nC @ 10V
- Vgs (Max) ±25V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1500pF @ 25V
- FET Feature -
- Power Dissipation (Max) 127W (Tc)
- Mounting Type Through Hole
- Supplier Device Package TO-220-3
- Package / Case TO-220-3
- Base Part Number FQP3
- detail N-Channel 100V 33A (Tc) 127W (Tc) Through Hole TO-220-3
فروشنده های FQP33N10
| قیمت | |||
| FQP33N10 | بدون قیمت |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
|
| FQP33N10 | ناموجود بدون قیمت |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
