FQN1N50CTA
در 2 فروشگاه قیمت هنوز مشخص نشده است
| Manufacturer | onsemi |
| Package | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Datasheet | FQN1N50C |
| Description | N-Channel 500V 380mA (Tc) 890mW (Ta), 2.08W (Tc) Through Hole TO-92-3 |
فروشنده های FQN1N50CTA
| قیمت | |||
| FQN1N50CTA | ناموجود بدون قیمت قیمت محصولات این فروشگاه بروز نشده است! |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
|
| FQN1N50CTA | ناموجود بدون قیمت |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
تغییرات قیمت
مشخصات FQN1N50CTA
- RoHS true
- Category Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet onsemi FQN1N50CTA
- Operating Temperature -55°C~+150°C@(Tj)
- Power Dissipation (Pd) 890mW;2.08W
- Total Gate Charge (Qg@Vgs) 6.4nC@10V
- Drain Source Voltage (Vdss) 500V
- Input Capacitance (Ciss@Vds) 195pF@25V
- Continuous Drain Current (Id) 380mA
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 4V@250uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 6Ω@190mA,10V
- Package TO-92-3
- Manufacturer onsemi
- Series QFET®
- Packaging Cut Tape (CT)
- Part Status Active
- FET Type N-Channel
- Technology MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 380mA (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 6Ohm @ 190mA, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.4nC @ 10V
- Vgs (Max) ±30V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 195pF @ 25V
- FET Feature -
- Power Dissipation (Max) 890mW (Ta), 2.08W (Tc)
- Mounting Type Through Hole
- Supplier Device Package TO-92-3
- Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Base Part Number FQN1
- detail N-Channel 500V 380mA (Tc) 890mW (Ta), 2.08W (Tc) Through Hole TO-92-3
فروشنده های FQN1N50CTA
| قیمت | |||
| FQN1N50CTA | ناموجود بدون قیمت قیمت محصولات این فروشگاه بروز نشده است! |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
|
| FQN1N50CTA | ناموجود بدون قیمت |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
