FQP27P06
در 4 فروشگاه قیمت هنوز مشخص نشده است
| Manufacturer | onsemi |
| Package | TO-220-3 |
| Datasheet | FQP27P06 |
| Description | --- |
فروشنده های FQP27P06
| قیمت | |||
| FQP27P06 | بدون قیمت |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
|
| FQP27P06 | ناموجود بدون قیمت |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
|
| FQP27P06 | ناموجود بدون قیمت قیمت محصولات این فروشگاه بروز نشده است! |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
|
| FQP27P06 | ناموجود بدون قیمت |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
تغییرات قیمت
مشخصات FQP27P06
- RoHS true
- Type P Channel
- Category Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet onsemi FQP27P06
- Operating Temperature -55°C~+175°C@(Tj)
- Power Dissipation (Pd) 120W
- Total Gate Charge (Qg@Vgs) 43nC@10V
- Drain Source Voltage (Vdss) 60V
- Input Capacitance (Ciss@Vds) 1400pF@25V
- Continuous Drain Current (Id) 27A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 4V@250uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 70mΩ@10V,13.5A
- Package TO-220
- Manufacturer onsemi
- Series QFET®
- Packaging Tube
- Part Status Active
- FET Type P-Channel
- Technology MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 27A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 13.5A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43nC @ 10V
- Vgs (Max) ±25V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1400pF @ 25V
- FET Feature -
- Power Dissipation (Max) 120W (Tc)
- Mounting Type Through Hole
- Supplier Device Package TO-220-3
- Package / Case TO-220-3
- Base Part Number FQP2
فروشنده های FQP27P06
| قیمت | |||
| FQP27P06 | بدون قیمت |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
|
| FQP27P06 | ناموجود بدون قیمت |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
|
| FQP27P06 | ناموجود بدون قیمت قیمت محصولات این فروشگاه بروز نشده است! |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
|
| FQP27P06 | ناموجود بدون قیمت |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
