IXFH80N65X2-4
در 0 فروشگاه قیمت هنوز مشخص نشده است
این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!
| Manufacturer | IXYS |
| Package | TO-247-4 |
| Datasheet | IXFH80N65X2-4 |
| Description | N-Channel 650V 80A (Tc) 890W (Tc) Through Hole TO-247-4L |
فروشنده های IXFH80N65X2-4
فروشگاهی یافت نشد
مشخصات IXFH80N65X2-4
- Manufacturer IXYS
- Series HiPerFET™
- Packaging Tube
- Part Status Active
- FET Type N-Channel
- Technology MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 38mOhm @ 500mA, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 4mA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 140nC @ 10V
- Vgs (Max) ±30V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8300pF @ 25V
- FET Feature -
- Power Dissipation (Max) 890W (Tc)
- Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
- Mounting Type Through Hole
- Supplier Device Package TO-247-4L
- Package / Case TO-247-4
- detail N-Channel 650V 80A (Tc) 890W (Tc) Through Hole TO-247-4L
فروشنده های IXFH80N65X2-4
فروشگاهی یافت نشد