IXFH80N65X2
در 3 فروشگاه از 1,275,230 تا 1,275,230 تومان
| Manufacturer | IXYS |
| Package | TO-247-3 |
| Datasheet | IXFx80N65X2 Preliminary |
| Description | --- |
فروشنده های IXFH80N65X2
| قیمت | |||
| IXFH80N65X2 | 1275230 تومان |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
|
| IXFH80N65X2 | ناموجود 886300 تومان |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
|
| IXFH80N65X2 | ناموجود 1440464 تومان |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
تغییرات قیمت
مشخصات IXFH80N65X2
- RoHS true
- Type N Channel
- Category Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet Littelfuse/IXYS IXFH80N65X2
- Operating Temperature -55°C~+150°C@(Tj)
- Power Dissipation (Pd) 890W
- Total Gate Charge (Qg@Vgs) 143nC@10V
- Drain Source Voltage (Vdss) 650V
- Input Capacitance (Ciss@Vds) 8245pF@25V
- Continuous Drain Current (Id) 80A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 5.5V@4mA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 38mΩ@10V,40A
- Package TO-247-3
- Manufacturer IXYS
- Series HiPerFET™
- Packaging Tube
- Part Status Active
- FET Type N-Channel
- Technology MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 40A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 4mA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 143nC @ 10V
- Vgs (Max) ±30V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8245pF @ 25V
- FET Feature -
- Power Dissipation (Max) 890W (Tc)
- Mounting Type Through Hole
- Supplier Device Package TO-247
- Package / Case TO-247-3
فروشنده های IXFH80N65X2
| قیمت | |||
| IXFH80N65X2 | 1275230 تومان |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
|
| IXFH80N65X2 | ناموجود 886300 تومان |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
|
| IXFH80N65X2 | ناموجود 1440464 تومان |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
