فروشنده های IXTQ69N30P
فروشگاهی یافت نشد
تغییرات قیمت
مشخصات IXTQ69N30P
- RoHS true
- Type N Channel
- Category Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet IXYS IXTQ69N30P
- Operating Temperature -55°C~+150°C@(Tj)
- Power Dissipation (Pd) 500W
- Total Gate Charge (Qg@Vgs) 180nC@10V
- Drain Source Voltage (Vdss) 300V
- Input Capacitance (Ciss@Vds) 4960pF@25V
- Continuous Drain Current (Id) 69A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 5V@250uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 49mΩ@10V,34.5A
- Package TO-3P-3
- Manufacturer IXYS
فروشنده های IXTQ69N30P
فروشگاهی یافت نشد