فروشنده های SIR878BDP-T1-RE3
فروشگاهی یافت نشد
مشخصات SIR878BDP-T1-RE3
- RoHS true
- Category Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Operating Temperature -55°C~+150°C@(Tj)
- Power Dissipation (Pd) 5W;62.5W
- Total Gate Charge (Qg@Vgs) 38nC@10V
- Drain Source Voltage (Vdss) 100V
- Input Capacitance (Ciss@Vds) 1850pF@50V
- Continuous Drain Current (Id) null;42.5A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 3.4V@250uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 14.4mΩ@15A,10V
- Package SOP-8
- Manufacturer Vishay Intertech
فروشنده های SIR878BDP-T1-RE3
فروشگاهی یافت نشد