فروشنده های SIRA18DP-T1-RE3
فروشگاهی یافت نشد
مشخصات SIRA18DP-T1-RE3
- RoHS true
- Category Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Operating Temperature -55°C~+150°C@(Tj)
- Power Dissipation (Pd) 14.7W
- Total Gate Charge (Qg@Vgs) 21.5nC@10V
- Drain Source Voltage (Vdss) 30V
- Input Capacitance (Ciss@Vds) 1000pF@15V
- Continuous Drain Current (Id) 33A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 2.4V@250uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 7.5mΩ@10A,10V
- Package SOP-8
- Manufacturer Vishay Intertech
فروشنده های SIRA18DP-T1-RE3
فروشگاهی یافت نشد