فروشنده های SIR624DP-T1-RE3
فروشگاهی یافت نشد
مشخصات SIR624DP-T1-RE3
- RoHS true
- Category Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Operating Temperature -55°C~+150°C@(Tj)
- Power Dissipation (Pd) 5W;52W
- Total Gate Charge (Qg@Vgs) 30nC@10V
- Drain Source Voltage (Vdss) 200V
- Input Capacitance (Ciss@Vds) 1110pF@100V
- Continuous Drain Current (Id) 5.7A;18.6A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 4V@250uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 60mΩ@10A,10V
- Package PowerPAK-SO-8
- Manufacturer Vishay Intertech
فروشنده های SIR624DP-T1-RE3
فروشگاهی یافت نشد