دیتاشیت SI2312CDS-T1-GE3-VB
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | SI2312CDS-T1-GE3-VB |
|---|---|
| حجم فایل | 75.041 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 9 |
دانلود دیتاشیت SI2312CDS-T1-GE3-VB |
SI2312CDS-T1-GE3-VB Datasheet |
|---|
مشخصات
- RoHS: true
- Type: N Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: VBsemi Elec SI2312CDS-T1-GE3-VB
- Power Dissipation (Pd): 2.1W
- Drain Source Voltage (Vdss): 20V
- Continuous Drain Current (Id): 6A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1V@250uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 28mΩ@4.5V,5A
- Package: SOT-23(TO-236)
- Manufacturer: VBsemi Elec
