TO220B03 Pkg Drawing دیتاشیت

TO220B03 Pkg Drawing

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت TO220B03 Pkg Drawing
حجم فایل 99.003 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 1

مشاهده دیتاشیت TO220B03 Pkg Drawing-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 1 N-channel
  • Category: Transistors/Thyristors/MOSFETs
  • Datasheet: onsemi FCP11N60N
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 94W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 35.6nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 600V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1.505nF@100V
  • Continuous Drain Current (Id): 10.8A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 3pF@100V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 255mΩ@10V,5.4A
  • Package: TO-220