FQU13N06LTU-WS دیتاشیت

FQD13N06L, FQU13N06L

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت FQD13N06L, FQU13N06L
حجم فایل 1033.103 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت FQD13N06L, FQU13N06L

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Package: TO-251-3
  • Manufacturer: onsemi
  • Series: QFET®
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 5.5A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4nC @ 5V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: I-PAK
  • Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Base Part Number: FQU1
  • detail: N-Channel 60V 11A (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Through Hole I-PAK

محصولات مشابه